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并聯易失存儲器

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具體成交價以合同協議為準
  • 型號 AS4C256M16D3B-12
  • 品牌
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 深圳市

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更新時間:2018-10-31 13:32:15瀏覽次數:770

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產品簡介

產地 進口 售后保修期 1個月
銷售區域 全國,華東,華南,華北,華中,東北,西南,西北,港澳臺,海外 種類 集成電路
AS4C256M16D3B-12 并聯易失存儲器:
存儲器類型易失
存儲器格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
存儲容量4Gb (256M x 16)
時鐘頻率800MHz
寫周期時間 - 字,頁15ns
訪問時間20ns
存儲器接口并聯
電壓 - 電源1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度-40°C ~ 95°C(TC)
安裝類型表面貼裝

詳細介紹

星際金華優勢提供 AS4C256M16D3B-12 并聯易失存儲器

規格:
存儲器類型    易失
存儲器格式    DRAM
技術    SDRAM - DDR3
存儲容量    4Gb (256M x 16)
時鐘頻率    800MHz
寫周期時間 - 字,頁    15ns
訪問時間    20ns
存儲器接口    并聯
電壓 - 電源    1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度    -40°C ~ 95°C(TC)
安裝類型    表面貼裝
封裝/外殼    96-TFBGA
供應商器件封裝    96-FBGA(13.5x9)

特征:
雙數據速率架構;每個時鐘周期兩次數據傳輸
通過8位預取流水線架構實現高速數據傳輸
利用用于在接收器處捕獲數據的數據發送/接收雙向差分數據選通(DQS和DQS)
DQS與READ數據邊緣對齊;與WRITE數據中心對齊
差分時鐘輸入(CK和CK)
DLL將DQ和DQS轉換與CK轉換對齊
在每個正CK邊緣輸入的命令;數據和數據掩碼引用DQS的兩個邊
用于寫入數據的數據掩碼(DM)
通過可編程附加延遲發布CAS,以獲得更好的命令和數據總線效率
片上終端(ODT)可獲得更好的信號質量
同步ODT
動態ODT
異步ODT
用于預定義模式讀出的多用途寄存器(MPR)
DQ驅動和ODT的ZQ校準
可編程部分陣列自刷新(PASR)
RESET引腳,用于上電順序和復位功能
SRT范圍:正常/擴展
可編程輸出驅動器阻抗控制
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AS4C256M16D3B-12 并聯易失存儲器:**現貨,優勢庫存,質量保證,量大價優。對此型號感興趣的商友,星際金華歡迎您的咨詢!

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