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IGBT 晶體管 詳細摘要： IGBT 晶體管 STGD8NC60KDT4：該IGBT采用*的PowerMESH™工藝，在開關性能和低導通狀態之間實現了出色的折衷。
產品型號：STGD8NC60KDT4 所在地：深圳市 更新時間：2019-06-11 參考價： 面議 在線留言 -
分立單路晶體管 詳細摘要： IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 分立單路晶體管：提供了快速開關，堅固耐用的器件設計，低導通電阻和成本效益的組合。
產品型號：IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 所在地：深圳市 更新時間：2019-04-20 參考價： 面議 在線留言 -
單項晶體管 詳細摘要： NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項晶體管：產品具有極低的導通電阻，這在硅基功率MOSFET中是的，因此特別適用于需要功率密度和出色效率的應用...
產品型號：NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 所在地：深圳市 更新時間：2019-04-17 參考價： 面議 在線留言 -
溝槽型場截止單項晶體管 詳細摘要： 溝槽型場截止單項晶體管 STGW80H65DFB：是使用*的專有溝槽柵極場截止結構開發的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分，它代表了導通和開關損耗之間的狀...
產品型號：STGW80H65DFB 所在地：深圳市 更新時間：2019-03-27 參考價： 面議 在線留言 -
N溝道單項分立晶體管 詳細摘要： PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N溝道單項分立晶體管：表面貼裝 N 溝道 pval（2068） 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
產品型號：PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS 所在地：深圳市 更新時間：2019-01-08 參考價： 面議 在線留言 -
N溝道晶體管 詳細摘要： N溝道晶體管 CSD18532Q5B：這款2.5mΩ，60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功...
產品型號：CSD18532Q5B 所在地：深圳市 更新時間：2018-11-19 參考價： 面議 在線留言 -
N溝道單項晶體管 詳細摘要： N溝道單項晶體管 STFH24N60M2:該器件是采用MDmesh™M2技術開發的N溝道功率MOSFET。 由于其條帶布局和改進的垂直結構，該器件具...
產品型號：STFH24N60M2 所在地：深圳市 更新時間：2018-11-10 參考價： 面議 在線留言