TC-Wafer等離子蝕刻晶圓溫度測量系統 半導體晶圓溫度檢測監測

產品引言

等離子蝕刻（Plasma Etching）是一種將化學和物理過程相結合的加工技術，用于在材料表面形成精確的圖案和結構。

溫度對等離子蝕刻的影響：

蝕刻速率： 溫度可以影響等離子體中離子的能量和移動性，從而影響蝕刻速率。一般來說，溫度升高會增加離子的動能，導致蝕刻速率的增加。

選擇性： 溫度的變化可能影響不同材料的蝕刻速率，從而影響選擇性。在一些情況下，調整溫度可以優化特定材料的選擇性蝕刻。

表面質量： 溫度的變化可能影響表面的化學反應速率，從而影響蝕刻的表面質量。過高或過低的溫度可能導致不理想的表面結構。

邊緣效應： 溫度變化可能引起邊緣效應，即在材料的邊緣區域蝕刻速率不同于中心區域，影響結構的精度和均勻性。

溫度控制在等離子蝕刻中的作用：

在等離子蝕刻過程中，溫度控制是非常重要的，因為溫度的變化可能對蝕刻結果產生影響。合理的溫度控制可以帶來以下好處：

蝕刻穩定性： 穩定的溫度有助于蝕刻過程的穩定性，減少蝕刻速率的波動，從而獲得更一致的加工結果。

選擇性控制： 在特定溫度下，可以實現特定材料的選擇性蝕刻，優化圖案制備過程。

產品質量： 控制溫度可以減少表面缺陷和邊緣效應，提高產品的質量和一致性。

工藝可重復性： 穩定的溫度條件有助于確保不同批次或不同設備下的蝕刻過程的可重復性。

產品概述

TC-Wafer等離子蝕刻晶圓溫度測量系統可用于記錄等離子蝕刻工藝環境對真實工藝條件下生產晶圓的影響。 高精度溫度傳感器能夠實現晶圓整體溫度監測，這與導體蝕刻工藝的 CD 均勻性控制密切相關。通過測量與產品工藝接近條件下的溫度數據，可以幫助工藝工程師完成調整蝕刻工藝條件，驗證及匹配腔體、和PM后的驗證等工作。

TC-Wafer等離子蝕刻晶圓溫度測量系統 半導體晶圓溫度檢測監測