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半導體材料多“線切割”加工工藝技術淺析（一）
硅晶錠多線切割是半導體原料加工中應用zui廣泛的切割方法。這種切割方法的原理是由很細而且具有一定張力的金屬切割線攜帶砂漿（由切削液與研磨劑按一定比例配制）來對半導體進行磨削加工。在工作中，砂漿的特性及作用會直接影響到大直徑硅晶錠的切割質量及其精度。但在另一方面，砂漿在切割線的狀態也會對切割質量及切割效率產生一定的影響。
文中主要探討淺析了砂漿在進入切割晶錠工作區域后的運動作用對切割晶片質量產生的影響，特別是多線切割機應用較細切割線時砂漿對切割效果的影響。通過使用高速相機記錄下砂漿在切割線上的粘著狀態及在切割中起到的作用，而且也描述出切割線在高速往復中會有一個低頻率的振動，這種振動提高了切割線在攜帶砂漿進入切割區域的砂漿量。指出了這種振動效應應該被充分地重視，它會促使多線切割的工作效率得到提升。
1，實驗設備及方法：
砂漿量及砂漿作用
圖1顯示出切割線上的砂漿量的測量方法。
圖1中，我們可測量出距工作點50 mm點處的砂漿量在砂漿總量中的比例，砂漿流到往復運動著的切割線上，當攜帶著砂漿的切割線通過可吸收砂漿的海綿體時，海綿體可把切割線帶進的砂漿全部吸收，這樣可以測出進入工作區域的砂漿量。
切割方法：
圖3為是多線切割機的工作原理圖，工作臺采用下降工作方式，它優于向上切割方式，避免了向上切割中由于切割過程中掉片而導致的切割斷線現象。砂漿被均勻地向下噴到高速往復的切割線上，由于切割線有微量的振動，會更方便地把砂漿帶入切割區域。多線切割機還有一個非常顯著的特征是切割線的振動頻率與切割線的往復速度是正比例關系。
未完，待續
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