四探針電阻率測試儀四探針電阻率測試儀

覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

概述：采用四端測量法適用于生產企業、高等院校、科研部門，實驗室；是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導率數據。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數據處理和標準電阻校準儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合GB/T 552 中的規定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規定的幾何修正因子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針0℃-40℃，小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影響測試結果，甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果，R(TD-R_xF式中:計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).試劑優級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據薄層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃，具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應足夠長，到達熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流，令其任一方向為正向，調節電流大小見表1測量范圍電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)直    徑：A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，   方測試臺直接測試方式180mm×180mm，    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,    測量方位: 軸向、徑向均可

4-1/2 位數字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數±2 字

數控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數±2 字

所給出的某一合適值，測量并記錄所得數據，所有測試數據至少應取三位有效數字。改變電流方向，測量、記錄數據。關斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59