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當前位置：蘇州恒邁瑞材料科技有限公司>> 8英寸N型6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應商
| 產地 | 國產 |
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6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應商恒邁瑞公司專注于生產供應導電N型碳化硅襯底晶片，半絕緣SI型級P型碳化硅襯底晶片，產品涵蓋測試D級，研究R級和產品P級，不同客戶不同應用可選擇對應的參數等級。除6-8英寸碳化硅襯底外，我司亦可供應2英寸4英寸停產等級的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價。
SiC 生產過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組四大環節。
制造碳化硅襯底的有物理氣象升華法、化學氣相沉積法以及頂部籽晶溶液生長法三種。物理氣相升華法是在高溫真空環境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體，是企業最嘗使用的一種方法。以碳化硅晶片為襯底，使用化學氣相沉積法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。
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