恒邁瑞公司目前可提供2英寸碳化硅雙拋襯底片及2英寸碳化硅切割晶片。未研磨及拋光的2英寸碳化硅切割片厚度為1200um，廣泛應(yīng)用于金剛石砂輪，磨料的研磨，拋光驗證測試。碳化硅研磨分為粗磨和精磨，粗磨是使用粒徑較大的磨粒進行研磨,主要是用于去除切片表面損傷層,速率為3-10um/min,表面粗糙度可達0.2um左右;精磨是用粒徑較小的磨粒進行研磨,主要去除粗研留下的損傷層,保證襯底面型精度(WARP、BOW、TTV, LTV等) ,效率在5-40um/h,表面粗糙度在0.1um左右, TTV在3-6μm。

研磨工藝的優(yōu)點在于成本相對較低，但它也存在一些缺點，包括工序較為繁瑣，自動化水平不高，對于大尺寸晶圓的加工，存在較高的破片風(fēng)險。此外，研磨工藝的靈活性較低，不利于單片加工。同時，由于需要使用研磨液，它對環(huán)境也會產(chǎn)生一定的影響。