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高功率半導體激光器歷史
1962年9月16日，通用電氣公司的羅伯特·霍爾(RobertHall)帶領的研究小組展示了砷化鎵(GaAs)半導體的紅外發射，這種半導體具有“奇怪的”干涉圖形，意味著相干激光-半導體激光器的誕生。霍爾初認為半導體激光器是一個“遠射”，因為當時的發光二極管效率很低。同時他對此也持有懷疑態度，因為當時兩年前才被證實、已經存在的激光器，需要“精美的鏡子”。
1962年夏天，霍爾表示，對于麻省理工學院林肯實驗室研發的效率更高的砷化鎵發光二極管，他感到相當震驚。隨后，他表示很幸運能通過一些高質量的GaAs材料進行測試，并利用他作為一個業余天文學家的經驗，開發出了一種方法來拋光GaAs芯片邊緣，形成一個腔體。
霍爾成功的演示是基于輻射在交界面上來回反彈，而不是垂直反彈的設計。他謙虛地表示，此前沒有人“碰巧提出這個想法。”實際上，霍爾的設計本質上是一個幸運的巧合，即形成波導的半導體材料也具有同時限制雙極載流子的性質。否則就不可能實現半導體激光器。通過使用不相似的半導體材料，可以形成平板波導以使光子與載流子重疊。
在通用電氣公司進行的這些初步演示是一項重大突破。然而，這些激光器遠不是實用的器件，為了促使高功率半導體激光器的誕生，必須實現不同技術的融合。關鍵技術創新始于對直接帶隙半導體材料和晶體生長技術的理解。
后來的發展包括雙異質結激光器的發明和量子阱激光器的后續發展。進一步增強這些核心技術的關鍵在于效率的提高以及腔面鈍化、散熱和封裝技術的發展。
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