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機(jī)械和熱穩(wěn)定性超高純氣流壓力變送器美西特

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  • 機(jī)械和熱穩(wěn)定性超高純氣流壓力變送器美西特

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  • 型號(hào) Model223
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  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市

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更新時(shí)間:2020-08-04 16:06:15瀏覽次數(shù):680

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地 進(jìn)口    
機(jī)械和熱穩(wěn)定性超高純氣流壓力變送器美西特
特性
·316 L VIM/VAR 不銹鋼
·表面拋光度 7 Ra
·VCR 接頭
·1×10-9 ATM.CC/sec 級(jí)別的氨滲漏實(shí)驗(yàn)
·額定破裂壓高
·易于吹掃
·符合 CE 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)要求
·獲得不易燃認(rèn)證,適用于潛在危險(xiǎn)區(qū)域
泄露率低
VCR 接頭
易于吹掃的小腔室

詳細(xì)介紹

機(jī)械和熱穩(wěn)定性超高純氣流壓力變送器美西特  

機(jī)械和熱穩(wěn)定性超高純氣流壓力變送器美西特

Setra 223 型超高純壓力變送器專(zhuān)為要求嚴(yán)苛的特殊氣體監(jiān)控應(yīng)用而設(shè)計(jì),可滿(mǎn)足這類(lèi)應(yīng)用在不損害結(jié)構(gòu)完整性、純度和性能方面的要求。

223 型壓力變送器帶有易于吹掃的小型流線(xiàn)式傳感器腔室。該傳感器擁有優(yōu)異的機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,尤其不會(huì)受到氣流導(dǎo)致的溫度瞬變的影響。感應(yīng)元件與壓力接口相互隔離,幾乎*消除了扭矩效應(yīng)。
223 型壓力變送器優(yōu)異的機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性主要源自Setra 磚利的可變電容技術(shù)的使用。該傳感器整體設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單,采用 VIM/VAR 316L 不銹鋼制造,且表面鈍化拋光至 5 Ra(蕞大 7 Ra),確保表面平整且耐化學(xué)腐蝕 ;絕緣電極板固定在傳感器隔膜的中心,與傳感器本體構(gòu)成可變電容。當(dāng)壓力增大或減小時(shí),電容值也相應(yīng)變化。傳感器會(huì)檢測(cè)到電容變化,并通過(guò) Setra *的集成電路將其轉(zhuǎn)換為線(xiàn)性模擬信號(hào)。 223 型壓力變送器還可選擇多種不同管徑,并提供蕞優(yōu)的端面密封接口。堅(jiān)固耐用的結(jié)構(gòu)可確保*安裝,并對(duì)系統(tǒng)扭力和焊接效應(yīng)有高耐受性,讓用戶(hù)安裝時(shí)無(wú)后顧之憂(yōu)。223 型變送器能夠耐受蕞高達(dá) 85的高溫,且在高溫下能正常標(biāo)定。每個(gè)傳感器都采用質(zhì)譜儀進(jìn)行了 1 x 10-9 ATM.CC/sec級(jí)別的氦滲漏試驗(yàn)。
超高純系列產(chǎn)品基于 Setra 成熟的電容傳感技術(shù)制造,能提供幾乎不受 EMI/RFI 干擾的高精度、穩(wěn)定的電壓或電流輸出信號(hào)。
在制造和裝配完成后, Setra 超高純壓力變送器還要接受去離子水沖洗、高純熱氮?dú)獯祾?、烘干、雙層包裝、氮?dú)獬渥⒑兔芊獾忍幚恚┖蟛虐l(fā)貨。

應(yīng)用于·高純度氣體輸送系統(tǒng)·半導(dǎo)體過(guò)程工具·制藥和生物技術(shù)過(guò)程·氣柜
特性
·316 L VIM/VAR 不銹鋼
·表面拋光度 7 Ra
·VCR
接頭
·1×10-9 ATM.CC/sec 級(jí)別的氨滲漏實(shí)驗(yàn)
·額定破裂壓高
·易于吹掃
·符合 CE RoHS 標(biāo)準(zhǔn)要求
·獲得不易燃認(rèn)證,適用于潛在危險(xiǎn)區(qū)域
 泄露率低
VCR 接頭
 易于吹掃的小腔室
200PSI/250PSI/3000PSI

耐壓 / 破裂壓

滿(mǎn)量程范圍                蕞小耐壓            蕞小破裂壓

(或同等壓力范圍)         PSIG                 PSIG

25                          40                  1500

50                          70                  3000

100                        150                  3000

250                        350                  5000

500                        650                  7500

1000                       1250                 7500

3000                       3500                 10000

223型的技術(shù)規(guī)格
性能數(shù)據(jù)
精度RSS*(恒定溫度下)±0.25%滿(mǎn)量程或讀數(shù)±1.0%
非線(xiàn)性,(蕞佳擬合直線(xiàn))±0.15%滿(mǎn)量程
遲滯0.20%全量程
非重復(fù)性0.02%全量程
溫度影響
補(bǔ)償范圍-9- 65

預(yù)熱漂移 總計(jì)為 0.1% FS
零點(diǎn)滿(mǎn)程漂移        1.8%(%FS/50)
范圍漂移%FS/100oF(%FS/50)2.0(1.8)
加熱漂移0.1%全量程

認(rèn)證不易燃認(rèn)證:適用于潛在危險(xiǎn)區(qū)域的認(rèn)證:

北美:可選 ETL 認(rèn)證,適用于 ANSI/ISA-12.2.01-2011 標(biāo)準(zhǔn)中列出的 1 類(lèi) 2 區(qū) A、 B C、 D 組危險(xiǎn)區(qū)域(選擇 N1 選項(xiàng))

歐洲:可選用于標(biāo)準(zhǔn) EN60079-0:2012 ATEX 94/9/EC 2 區(qū)認(rèn)證或

EN60079-15:2010 11 3G Ex nA IIC T4 Gc -30 < Ta<+ 80oC 認(rèn)證(選擇 N1 選項(xiàng))

壓力介質(zhì)與 316L 不銹鋼兼容的氣體或液體的
非線(xiàn)性、非重復(fù)性和遲滯的RSS(和方根)值。
環(huán)境數(shù)據(jù)
溫度
工作溫度*oF()-40+185-40+85
儲(chǔ)存溫度oF()-40+185-40+85
*工作溫度僅是電子設(shè)備的溫度Ji限。
受壓媒介的溫度可能要高或低很多。
物理描述
外殼不銹鋼
電氣連接182.88cm.多芯電纜,或Bayonet連接器。
壓力接頭參見(jiàn)訂購(gòu)信息
零點(diǎn)/范圍調(diào)節(jié)側(cè)面接近
重量(大約值)5.6盎司(160克)
電氣參數(shù)(電壓)
電路3根導(dǎo)線(xiàn)(Exc、Out、Com
激勵(lì)1030VDC5VFSO
1330VDC10VFSO
輸出*05VDC0.25.2VDC**
010VDC0.210.2VDC**
電流消耗<8mA
*校準(zhǔn)精度為50Kohm負(fù)荷,可操作5000ohm或更大的負(fù)荷。
**零點(diǎn)輸出的出廠(chǎng)設(shè)置在±25mV之內(nèi)(限5VDC輸出)
±50mV(10VDC輸出)
**范圍(全量程)輸出的出廠(chǎng)設(shè)置在±25mV之內(nèi)(限5
VDC輸出)或±50mV(10VDC輸出)。
電氣參數(shù)(電流)
電路2根導(dǎo)線(xiàn)
輸出*4~20mA**
外部負(fù)荷0800Ohm
zui大電源電壓(VDC)=10+0.02x(接收器正Ji導(dǎo)線(xiàn)的電阻)。
zui大電源電壓(VDC)=30+0.004x(接收器正Ji導(dǎo)線(xiàn)的電阻)。
*出廠(chǎng)時(shí)以24VDC回路電壓和一個(gè)250ohm負(fù)荷,進(jìn)行校準(zhǔn)。
**零點(diǎn)輸出的出廠(chǎng)設(shè)置在±0.08mA之內(nèi)。
**范圍(全量程)輸出的出廠(chǎng)設(shè)置在±0.08mA之內(nèi)。
1. 非線(xiàn)性、遲滯、非重復(fù)性的方和根

2. *電子元件的工作溫度限制,壓力介質(zhì)的溫度可能明顯較高或較低

3. 采用 50KΩ 負(fù)載進(jìn)行標(biāo)定,可在負(fù)載 ≥ 5KΩ 時(shí)工作

4. 零點(diǎn)(滿(mǎn)量程)輸出 :對(duì)于 5 VDC 輸出,出廠(chǎng)設(shè)置在 ± 25mV 以?xún)?nèi) ;對(duì)于

10 VDC 輸出,出廠(chǎng)設(shè)置在 ± 50 mV 以?xún)?nèi)

5. 出廠(chǎng)標(biāo)定時(shí)采用 250Ω 負(fù)載, 24VDC 電源

6. 零點(diǎn)(滿(mǎn)量程)輸出 :出廠(chǎng)設(shè)置在 ± 0.08mA 以?xún)?nèi)

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