▌設備優勢：

  ◆ 有效減小崩邊和脫層，提高良率

  ◆ 開槽寬度，深度可調節

  ◆ 全自動運行，集成保護液涂覆，晶圓開槽，清洗模塊

▌工藝流程：

  保護液涂覆---激光開槽---二流體水清洗

◆ 加工對象：low-k晶圓

◆ 激光種類：紫外半導體泵浦激光器

◆ 激光功率：≧5W

◆ 冷卻方式：封閉式循環水冷

◆ X軸：行程450mm，解析度0.1μm

◆ Y軸：行程500mm，解析度0.1μm

◆ Z軸：行程15mm，解析度0.1μm

◆ θ軸：行程120°，解析度0.001°

◆ 開槽深度：＞10μm

◆ 切割軸速度：0-500mm/s

◆ 加工尺寸：12寸

◆ 上表面精度：0.01mm/300mm 

◆ 清洗盤轉速：2500r/min

◆ 位置精度：0.01°

◆ 加工方式：正面開槽，全自動加工

◆ 對焦方式：自動對焦

◆ 打光系統：點光源

▌應用材料和領域：

  ◆ 應用于半導體行業40nm及以下線寬的low-k晶圓的表面開槽

  ◆ 適用于表面需要進行劃線或者開細槽加工的半導體晶圓

▌加工效果示例圖：