石墨烯CVD制備設備

這款配置的低真空CVD系統由1200℃真空管式爐,3通道氣路系統和真空系統組成,可根據用戶需要設計生產有雙溫區、三溫區、多溫區),石墨烯CVD制備設備可預抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統有質子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、閥均釆用進口設備,性能可靠。控制電躋選用模糊PD程控技術,石墨烯CVD制備設備具有控溫精度髙,溫沖幅度小,性能可靠,簡單易操作等特點。CVD生長系統適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等。

石墨烯CVD制備設備技術參數:

1200雙溫區加熱爐

電壓 AC220V 50/60Hz

功率 4.5KW 雙溫控

Max溫度 1150 °C

工作溫度 ≤ 1100 °C

升溫速率 ≤  15°C/min

溫控系統 PID自動控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器

恒溫精度 ±1°C

石英管 25/50/60/80*1400mm

三路質量流量控制系統

MAX電壓 185~245V/50Hz

MAX輸出功率  18W

流量計標準量程 50，100，200，500SCCM（非特殊以氮氣標定，量程可選定）

工作溫度 5~45  °C

工作壓差 0.1~0.5 MPa

MAX壓力 3MPa

準確度 ±1.5%FS

低真空系統

采用雙極旋片真空泵

不銹鋼充油真空壓力表，良好的抗震性

安裝過濾器

內置測溫系統

測溫元件可從加熱區邊緣延申至溫區中心法蘭密封，保證爐管的密封性測溫元件，N型熱電偶

法蘭及支撐

304不銹鋼快速水冷法蘭，長期水冷無腐蝕，一個卡箍就能完成法蘭的連接，放取物料方便快捷可調節法蘭的支撐，平衡爐管的受力支撐。包含進氣，出氣，真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合，4個密封硅膠圈等。

石墨烯CVD制備設備可選配件

混氣系統，中，高真空系統，各種剛玉坩堝，石英管，計算機控制軟件，無紙記錄儀，氧含量分析儀，冷卻水循環機。