拋光液特性
　　拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。拋光液本產品性能穩定、無毒，對環境*等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據產品的狀態來定。3、拋光液完成后用清水清洗一次并且烘干即可。 
化學機械拋光液
　　這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的有效方法。
拋光液步驟
　　依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程： 　　（1）拋光液首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。 　　（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。 　　硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。鄭州拋光液廠家，拋光液東莞供應商，拋光液廣東廠家，拋光液用途

拋光液產品
　　硅材料拋光液
 　 藍寶石拋光液 
　  砷化鎵拋光液 
　　鈮酸鋰拋光液 
　　鍺拋光液 
　　集成電路多次銅布線拋光液 
　　集成電路阻擋層拋光液
拋光液應用：
1. LED行業 
　　目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬"的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
 　　2.半導體行業
　　CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑"的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是目前的可以在整個硅圓晶片上全方面平坦化的工藝技術。