- 01適用多種晶圓
適用于4—8英寸原片、襯底、外延片及無圖形晶圓
- 02可檢測多種缺陷
檢測顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點、裂紋等缺陷
- 03分辨精度高
系統分辨率：1-10μm
- 04檢測速度快
無圖形晶圓：缺陷數量在200個以內的情況下，180秒/片
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適用于4—8英寸原片、襯底、外延片及無圖形晶圓
檢測顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點、裂紋等缺陷
系統分辨率：1-10μm
無圖形晶圓：缺陷數量在200個以內的情況下，180秒/片
| 項目 | 主要技術參數 | |
| 常規參數 | Wafer尺寸 | 標配4" , 6"(可擴展4"-8") |
| 料盒數量 | 雙層， 14 pcs | |
| 上下料方式 | 機械手， Mapping掃描 | |
| 運動平臺 | Y行程 350mm，重復精度 10μm Z行程 8mm，重復精度 5μm | |
| 產能 | 4" , 140WPH 6" , 120WPH | |
| 檢測性能 | 檢測精度 | 7 μm |
| 相機 | 高分辨率工業相機 | |
| 鏡頭 | 高清工業鏡頭 | |
| 光源 | 光源 | |
| 使用環境 | 供電規格 | AC220V， 50Hz |
| 氣源要求 | 0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣， 無明顯水汽和油脂 | |
| 設備重量 | 溫度15-40℃， 濕度要求30%-70%， 無凝霜 | |
| 整機尺寸 | 1800mm*1300mm*2250mm | |
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