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概述

電容器補償用的可控硅投切開關(guān)（電容器靜態(tài)開關(guān)）是利用兩個反向并聯(lián)的可控硅，代替接觸器進(jìn)行投切電容。其原理就是利用過零觸發(fā)可控硅電路，在電壓過零瞬間投切電容，以達(dá)到切換電流小，對器件保護好，電路無浪涌干擾等目的。若不考慮這些優(yōu)點，它就相當(dāng)于一臺接觸器.

可控硅投切開關(guān)由大功率晶閘管、光電隔離電路、觸發(fā)電路、保護電路、散熱裝置等組成。用于低壓系統(tǒng)容性負(fù)載的通斷控制，無沖擊涌流，無過壓，工作時無噪音，允許頻繁投切，安裝、接線簡單方便，特別適合配套快速投切SVC低壓動態(tài)無功補償裝置使用。

產(chǎn)品特點

　　1、等電位過零技術(shù)，實現(xiàn)電壓過零時導(dǎo)通、電流為零時切除，確保投入無沖擊涌流、切除無過電壓。
　　2、選用大功率、高耐壓（反向耐壓1800V）可控硅模塊，經(jīng)多年實際項目運行，其工作穩(wěn)定可靠。
　　3、成熟穩(wěn)定的抗干擾電路設(shè)計，確保調(diào)節(jié)器長期穩(wěn)定工作。
　　4、使用壽命達(dá)10萬小時以上，免維護，投切時間小于20ms。
　　5、元件布局合理、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊；接線、安裝方便，調(diào)試簡單。

技術(shù)參數(shù)

　　額定電壓：低壓系統(tǒng)
　　額定頻率：50Hz
　　控制容量：三相100Kvar及以下，單相25Kvar及以下。
　　安裝海拔：3000米及以下
　　運行環(huán)境：溫度-25℃～+45℃，相對濕度不超過90%，周圍環(huán)境應(yīng)有良好的通風(fēng)條件。
　　控制電壓：DC +12V
　　控制電流：20mA-30mA
　　投入涌流：小于2In