《方案》涵蓋突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)；加快中試轉(zhuǎn)化進(jìn)程；建設(shè)創(chuàng)新平臺體系；推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展；大力培育領(lǐng)軍企業(yè)；加強(qiáng)合作協(xié)同創(chuàng)新；關(guān)鍵材料裝備攻關(guān)工程；產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈建設(shè)工程；核心產(chǎn)品示范應(yīng)用工程；前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)培育工程等多方面具體工作。
 

　　《方案》明確，力爭到2030年取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。
 

　　在重點(diǎn)任務(wù)方面，要加快突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)。強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力。鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。支持科技領(lǐng)軍企業(yè)、高校、科研院所積極承擔(dān)國家級光芯片相關(guān)重大攻關(guān)任務(wù)，形成一批硬核成果。
 

　　省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān)。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的“卡點(diǎn)”“堵點(diǎn)”問題。
 

　　加大“強(qiáng)芯”工程對光芯片的支持力度。擴(kuò)大省級科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項、制造業(yè)當(dāng)家重點(diǎn)任務(wù)保障專項等支持范圍，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補(bǔ)貼、量產(chǎn)前首輪流片獎補(bǔ)等產(chǎn)業(yè)政策，擴(kuò)展至光芯片設(shè)計自動化軟件(PDA工具)、硅光MPW流片等領(lǐng)域，強(qiáng)化光芯片領(lǐng)域產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
 

　　加快中試轉(zhuǎn)化進(jìn)程。加快建設(shè)一批概念驗證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導(dǎo)體、硅基(異質(zhì)異構(gòu))集成、光電混合集成等領(lǐng)域，建設(shè)概念驗證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線，加快科技成果轉(zhuǎn)化進(jìn)程。
 

　　支持中試平臺積極發(fā)揮效能。支持中試平臺圍繞光芯片相關(guān)領(lǐng)域，向中小企業(yè)提供原型制造、質(zhì)量性能檢測、小批量試生產(chǎn)、工藝放大熟化等系列服務(wù)，推動新技術(shù)、新產(chǎn)品加快熟化。鼓勵綜合性專業(yè)化中試平臺為光芯片領(lǐng)域首臺套裝備、首批次新材料等提供驗證服務(wù)，符合條件的依法依規(guī)給予一定政策和資金支持。
 

　　鼓勵中試平臺孵化更多創(chuàng)新企業(yè)。鼓勵中試平臺搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并通過許可、出售等方式將成熟技術(shù)成果轉(zhuǎn)讓給企業(yè)，或?qū)⒉糠殖晒ㄟ^設(shè)立子公司的方式實現(xiàn)商業(yè)化，孵化培養(yǎng)更多光芯片領(lǐng)域新物種企業(yè)。
 

　　在關(guān)鍵材料裝備攻關(guān)工程方面：加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電光拓?fù)湎嘧儾牧稀⒐饪棠z、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。
 

　　推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。
 

　　支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。
 

　　在核心產(chǎn)品示范應(yīng)用工程方面：加強(qiáng)光芯片產(chǎn)品示范應(yīng)用。大力支持光芯片在新一代信息通信、數(shù)據(jù)中心、智算中心、生物醫(yī)藥、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)的場景示范和產(chǎn)品應(yīng)用。培育更多應(yīng)用場景，加大光芯片產(chǎn)品在信息傳輸、探測、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用，推動相關(guān)領(lǐng)域半導(dǎo)體產(chǎn)品升級換代。
 

　　在前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)培育工程方面：圍繞光芯片前沿理論和技術(shù)問題開展基礎(chǔ)攻關(guān)和研發(fā)布局。支持企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)等圍繞光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質(zhì)異構(gòu)混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)布局，努力實現(xiàn)原理性突破、原始性技術(shù)積累和開創(chuàng)性突破。