半導體激光器激光必須具備的條件
2020-12-28來源：網絡作者：網絡標簽：半導體激光器
半導體激光器激光必須具備的條件
半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。
半導體激光器是依靠注入載流子工作的，發射激光必須具備三個基本條件：
（1）有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用，使受激照射光子增生，從而產生激光震蕩；
（2）要滿足一定的閥值條件，以使光子增益等于或大于光子的損耗；
（3）要產生足夠的粒子數反轉分布，即高能態粒子數足夠的大于處于低能態的粒子數。
半導體激光器工作原理是激勵方式，利用半導體物質（即利用電子）在能帶間躍遷發光，用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡，組成諧振腔，使光振蕩、反饋，產生光的照射放大，輸出激光。
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